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产品系列完备，打通粗碎、中碎、细碎和超细碎作业
VSI家族与VU骨料优化系统共担精品机制砂制备重任
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2020-10-09T13:10:00+00:00
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎
研磨工艺可分为单面和双面研磨，小尺寸碳化硅晶片单双面研磨技术相继被开发。研磨加工碳化硅切片表面时，使用的磨料通常为碳化硼或金刚石，可分为粗磨和精磨。粗磨主要是 控制碳化硅外延缺陷，方法一是谨慎选择碳化硅衬底材料；二是设备选择及国产化；三是工艺技术。 碳化硅外延技术进展情况： 在低、中压领域，目前外延片核心参数厚度、掺杂浓 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎 知乎专栏2022年1月4日 碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需努力！ 碳化硅3个常识点 ：1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度 碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需努力！
碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎 知乎专栏
由于碳化硅材料属于高硬脆性材料，需要采用专用的研磨液，碳化硅研磨的主要技术难点在于高硬度材料减薄厚度的精确测量及控制，磨削后晶圆表面出现损伤、微裂纹和残余应 2022年8月29日 碳化硅的工业应用主要有以下几点： (1)磨料：主要因为碳化硅具有很高硬度，化学稳定性和一定韧性，所以碳化硅能用于制造固结磨具、涂附磨具和自由研磨， 加工碳化硅使用哪种机床 知乎 知乎专栏碳化硅还可以用于仪器的精密研磨。由于它的强度和刚性，在仪器的wenkubaidu密研磨过程中可以恰当地替代金刚石或硬质合金等其他研磨剂，能够有效地减小仪器研磨过程 研磨用碳化硅用途 百度文库
一种碳化硅研磨设备 X技术网
2022年4月7日 2碳化硅作为第三代半导体的代表性材料，性能优异，特别适合制作高温、高频、大功率器件，环境耐受性好，在新能源汽车，光伏，高压电网等领域有良好的应用 半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高， 半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比 知乎一：磨料，研磨，抛光，喷砂等（碳化硅砂/碳化硅粒度砂） 碳化硅主要作为磨料用于制造砂轮、砂纸、砂带、油石、磨块、磨头、研磨膏等。 碳化硅能用于制造固结磨具、涂附磨 碳化硅的具体应用有哪些？在炼钢铸造中使用碳化硅一定不能忽视
工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎 知乎专栏
02 研磨 研磨的目的是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。研磨根据工艺的不同可分为粗磨和精磨。1、背景与意义 作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。 碳化硅衬底加工精度直接影响器件性能，因此外延应用对碳化硅晶片表面质量的要求极为严苛。 碳化硅硬度高、脆性大、化学性质稳定，传统加工方法不完全适用。 受加工技术的制约，目前高表面质量碳化 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎2022年4月24日 碳化硅作为一种重要的结构陶瓷材料，凭借其优异的高温力学强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能，不仅应用于高温窑具、燃烧喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承等传统工业领域，还可作为防弹装甲材料、空间反射镜、半导体晶圆制备中夹具材料及核燃料包壳材料 [15] 。 碳化硅优异的性能源自于其晶体结构和 Si 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需努力！碳化硅3个常识点 ：1、碳化硅
2022年1月4日 碳化硅3个常识点 ： 1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快 ！ 2、碳化硅目前供需情况是一片难求，核心点是上游长晶环节衬底生产慢导致 ！ 3、衬底在碳化硅价值占比是50%左右量，所以天岳、露笑等标的市场关注火 例如代半导体材料，锗、硅等；化合物半导体：由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。 例如碳化硅，氮化镓（GaN）。 目前半导体材料已经发展到第三代。 相比于二代，具有高热导率、高击穿场强等优点，应用前景广泛，能够降低50%以上的能量损失，较大可使装备体积缩小75% 半导体届“小红人”——碳化硅 知乎2021年12月4日 （1）碳化硅磨料呈粉末状，颜色为绿色或黑色，主要用于制作砂轮、砂纸、砂带、油石、磨块、磨头、研磨膏。 碳化硅在半导体行业最早的应用，是用金刚砂线将3～12英寸单晶硅棒切割为硅片。 （2）碳化硅作为耐高温材料，一方面可用于各种冶炼炉衬、高温炉窑构件、衬板、支撑件、匣钵、坩埚等；另一方面可用于 有色金属 冶炼工业的 碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一） 雪球
第三代半导体材料之碳化硅（SiC） 雪球
2021年6月8日 碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。 特斯拉 作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳 2020年10月21日 1碳化硅晶体生长及加工关键设备 主要包括: 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 主要技术难点：高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉料合成坩埚加热与耦合技术。 国内外主要厂商：Cree,Aymont,中国电科二 首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做？2021年11月28日 前两天写了篇文章 碳化硅（sic）为什么就一片难求 ！{碳化硅（sic）为什么就一片难求 ！}简单介绍了一下三代半导体中碳化硅的大致情况。即使在2001年，英飞凌就已经生产出来碳化硅的功率半导体，距今过去了20年了，但目前阶段依然是初始高成长的阶 碳化硅（SiC）衬底，未来大哥是谁！ 前两天写了篇文章 碳化硅（SIC）为什么就一片难求！{碳化硅
第三代半导体材料之碳化硅（SiC） 雪球
2021年6月8日 目前碳化硅的抛光方法主要有：机械抛光、磁流变抛光、化学机械抛光（CMP）、电化学抛光（ECMP）、催化剂辅助抛光或催化辅助刻蚀（CACP/CARE）、摩擦化学抛光（TCP，又称无磨料抛光）和等离子辅助抛光（PAP）等。 化学机械抛光（CMP）技术是目前半导体加工的重要手段，也是目前能将单晶硅表面加工到原子级光 2020年12月25日 目前碳化硅的抛光方法主要有：机械抛光、磁流变抛光、化学机械抛光（CMP）、电化学抛光（ECMP）、催化剂辅助抛光或催化辅助刻蚀（CACP/CARE）、摩擦化学抛光（TCP，又称无磨料抛光）和等离子辅助抛光（PAP）等。 化学机械抛光（CMP）技术是目前半导体加工的重要手段，也是目前能将单晶硅表面加工到原子级光 国内碳化硅产业链！ 电子工程专辑 EE Times China2021年7月8日 尽管是电子产品中使用最广泛的半导体，但硅开始显示出一些局限性，尤其是在高功率应用中。 这些应用中的一个相关因素是半导体提供的带隙或能隙。 当带隙很高时，它使用的电子设备可以更小、运行得更快、更可靠。 它还可以在比其他半导体更高的温度、电压和频率下运行。 硅的带隙约为 112eV，而碳化硅的带隙值约为 326eV 的近三倍 关于碳化硅，不可不知的10件事！电压 搜狐
碳化硅涂层加工工艺 百度文库
1、磨料主要是因为碳化硅具有很高的硬度，化学稳定性和一定的韧性，所以碳化硅能用于制 造固结磨具、涂附磨具和自由研磨，从而来加工玻璃、陶瓷、石材、铸铁及某些非铁金属、硬质合 金、钛合金、高速钢刀具和砂轮等。 绿碳化硅具较高的硬度和一定的韧性；多用于磨加工光学玻璃、硬质合金、钛合金以及轴承钢的研磨抛光、高速钢刀具的刃磨等。 黑 研磨用碳化硅用途 碳化硅是一种常见的化学物质，它拥有众多的用途，但最常用的是研磨，研磨用碳化硅已经成为多种行业的行业标准。研磨用碳化硅具有丰富的研磨性能，如有一定的耐磨性和耐酸碱性，以及高的精细度和热稳定性，因此，它得到了广泛的应用。研磨用碳化硅用途 百度文库2022年5月13日 碳化硅粉料有多种合成方式，主要有固相法、液相法和气相法3种。 其中，固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法；液相法包括溶胶凝胶法和聚合物热分解法；气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法等。 52单晶衬底 单晶衬底是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长基片。 生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是 一张图了解第三代半导体材料——碳化硅 百家号
如何制造碳化硅密封环 CERADIR 先进陶瓷在线
2021年7月14日 1原料处理工艺：不同球磨时间和料球比的的SiC原料的比表面测定。 2成型工艺：采用干压成型和等静压成型工艺，前者适宜形状简单，批量较大的制品，后者对单件少量、复杂形状的制品较为适宜，且等静压碳化硅密封环的密度与性能均较干压的制品为高为优。 3热压工艺：将加压和烧结过程合在一起的工艺称热压。 无压烧结工艺：将成型后 2021年10月6日 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）已是第三代半导体中发展最成熟的两个品种。碳化硅（SiC）具有工作温度更高、开关和导通损耗更低的特性，适合太阳能逆变器、工业电源以及新能源汽车主控电路。而氮化镓（GaN）由于其高电子迁移率和高电子饱和速度特 第三代半导体技术竞争白热化！碳化硅(SiC)的前世今生！电子工 2020年12月23日 碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化 第三代半导体材料之碳化硅（SiC） 百家号
engis SIC碳化硅 研磨抛光设备公司新闻玖研科技（上海）有限公
碳化硅基板的晶体结构来看有Si面以及C面，因为碳化硅材质坚硬在进行化学机械抛光 (CMP)非常耗时，建议采用日本Engis公司之DMP抛光皮搭配专用钻石液先行加工， DMP抛光皮是使用航天科技特殊纤维制成，其特殊纤维质地坚韧不易断裂 ，可维持高效率的表面移除性能，特别适用于硬脆材质之化学机械抛光前的加工制程。 上一条： 日本engis超精密
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